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硅集成電路工藝基礎

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關旭東

硅集成電路工藝基礎

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
作者:	關旭東
出版地:	北京
出版者:	北京大學出版社;
出版年:	2003
標題:	硅柵MOS集成電路 -
電子資源:	http://cec.lib.apabi.com:80/product.asp?BookID=m%2e20061101%2dm011%2dw003%2d029
摘要註:	本書系統地講述了硅集成電路製造的基礎工藝，重點放在工藝物理基礎和基本原理上。全書共十章，其中第一章簡單地講述了硅的晶體結構，第二章到第九章分別講述了硅集成電路製造中的基本單項工藝，包括氧化、擴散、離子注入、物理氣相澱積、化學氣相澱積、外延、光刻與刻蝕、金屬化與多層互連，最後一章講述的是工藝集成。本書可作為高等學校微電子專業本科生和研究生的教材或參考書，也可供從事集成電路製造的工藝技術人員閱讀。
ISBN:	7301065078

硅集成電路工藝基礎
關旭東

硅集成電路工藝基礎 / 關旭東編著 - 北京 : 北京大學出版社, 2003.
ISBN 7301065078
硅柵MOS集成電路

硅集成電路工藝基礎
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330 $a 本書系統地講述了硅集成電路製造的基礎工藝，重點放在工藝物理基礎和基本原理上。全書共十章，其中第一章簡單地講述了硅的晶體結構，第二章到第九章分別講述了硅集成電路製造中的基本單項工藝，包括氧化、擴散、離子注入、物理氣相澱積、化學氣相澱積、外延、光刻與刻蝕、金屬化與多層互連，最後一章講述的是工藝集成。本書可作為高等學校微電子專業本科生和研究生的教材或參考書，也可供從事集成電路製造的工藝技術人員閱讀。
337 $a 需要下載並安裝APABI Reader軟件閱讀電子圖書
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